За да се разширят границите на възможностите на микроелектрониката, за да се отговори на нарастващите изисквания на човечеството, са необходими нови компоненти, които могат да работят както при изключително ниски, така и при изключително високи температури. В първия случай се отваря възможността за сдвояване на класически компютри и квантови платформи. Във втория има път за работа на екстремни дълбочини, хиперзвук и в космоса, например в системи за управление на ракетни двигатели.
Група учени от Университета на Пенсилвания публикуваха статия в списание Nature Electronics, в която разказват за разработването и създаването на прототип на фероелектрична енергонезависима памет (феродиод), способна да работи при температури до 600 °C в продължение на 60 часа.
Тази памет е важна за комбинация с електроника, базирана на силициев карбид, която на теория също може да издържи на работни температури до 600 °C. Теоретичната работна граница на силициевата електроника е 125 °C. Силициево-карбидната логика, комбинирана с нововъведената фероелектрична диодна памет, ще направи възможно създаването на относително високопроизводителни изчислителни платформи и дори платформи с AI за спускане на оборудване до дълбочина от 100 км под повърхността на земята или за работа на повърхността на Венера, например.
Прототипът на 45nm фероелектрична енергонезависима памет, създаден в Университета на Пенсилвания, е синтезирано съединение AIScN (l0.68Sc0.32N). Експерименталната клетка с памет беше тествана в лабораторията при нагряване до 600 °C и остана работеща със захранващо напрежение под 15 V (тя записа данни след отстраняване на външното електрическо поле). В същото време елементът на паметта демонстрира „бързо“ превключване между състояния, обещавайки продуктивна работа като част от бъдещи високотемпературни микроелектронни решения.