Учени създадоха енергонезависима памет, която не се разваля при нагряване до 600 градуса

За да се разширят границите на възможностите на микроелектрониката, за да се отговори на нарастващите изисквания на човечеството, са необходими нови компоненти, които могат да работят както при изключително ниски, така и при изключително високи температури. В първия случай се отваря възможността за сдвояване на класически компютри и квантови платформи. Във втория има път за работа на екстремни дълбочини, хиперзвук и в космоса, например в системи за управление на ракетни двигатели.

Група учени от Университета на Пенсилвания публикуваха статия в списание Nature Electronics, в която разказват за разработването и създаването на прототип на фероелектрична енергонезависима памет (феродиод), способна да работи при температури до 600 °C в продължение на 60 часа.

Тази памет е важна за комбинация с електроника, базирана на силициев карбид, която на теория също може да издържи на работни температури до 600 °C. Теоретичната работна граница на силициевата електроника е 125 °C. Силициево-карбидната логика, комбинирана с нововъведената фероелектрична диодна памет, ще направи възможно създаването на относително високопроизводителни изчислителни платформи и дори платформи с AI за спускане на оборудване до дълбочина от 100 км под повърхността на земята или за работа на повърхността на Венера, например.

Прототипът на 45nm фероелектрична енергонезависима памет, създаден в Университета на Пенсилвания, е синтезирано съединение AIScN (l0.68Sc0.32N). Експерименталната клетка с памет беше тествана в лабораторията при нагряване до 600 °C и остана работеща със захранващо напрежение под 15 V (тя записа данни след отстраняване на външното електрическо поле). В същото време елементът на паметта демонстрира „бързо“ превключване между състояния, обещавайки продуктивна работа като част от бъдещи високотемпературни микроелектронни решения.